功能

半導(dǎo)體封裝尺寸越來(lái)越小，集成度越來(lái)越高，無(wú)損高精度定位故障的需求也越來(lái)越大。因此，有必要建立一個(gè)系統(tǒng)，可以根據(jù)不同的故障分析條件輕松地創(chuàng)建*佳分析環(huán)境。

TS9000系列TDR方案和TS9001 TDR系統(tǒng)的TDR分析通過(guò)利用我們專(zhuān)有的短脈沖信號(hào)處理技術(shù)進(jìn)行高分辨率TDR測(cè)量（時(shí)域反射法），對(duì)**半導(dǎo)體封裝、電子元件和印刷電路板中的導(dǎo)線故障區(qū)域進(jìn)行快速、高精度和無(wú)損分析。

  • 能夠?qū)?.5D_IC和3D_IC進(jìn)行故障分析
    • ?故障區(qū)域檢測(cè)的精度（分辨率）：<5μm
    • ?*大測(cè)量距離：300mm
  • 自動(dòng)TDR測(cè)量

    通過(guò)使用自動(dòng)探測(cè)器的自動(dòng)觸地功能，系統(tǒng)進(jìn)行**的可重復(fù)測(cè)量，有助于減少人為錯(cuò)誤。

  • 可進(jìn)行DUT溫度控制（TS9001 + 外部探針連接）

    （示例）FormFactor Inc公司的SUMMIT200（高/低溫型： -60 °C 至 300 °C）

  • 可提供多種分析軟件

    提供故障位置指示器，可顯示CAD數(shù)據(jù)上的故障區(qū)域。（可選）

使用太赫茲技術(shù)的TDR測(cè)量

使用示波器TDR進(jìn)行故障分析時(shí)出現(xiàn)的問(wèn)題 ? 故障點(diǎn)定位誤差大

用于分析的探針信號(hào)采用階梯響應(yīng)波形圖。
從上等和有缺陷的產(chǎn)品中獲得的TDR波形圖振幅變化的起始點(diǎn)被視為故障點(diǎn)。但是，由于起始點(diǎn)不明確，在定位故障點(diǎn)時(shí)存在很大的誤差。

通過(guò)使用探針信號(hào)的脈沖波形圖，可以輕松（直觀地）在脈沖峰值處確定故障點(diǎn)。

高度集成的LSI封裝故障分析

1. 封裝接線故障分析

  • 確定布線故障點(diǎn)位于Si Interposer內(nèi)還是封裝內(nèi)
  • 識(shí)別故障是由預(yù)處理還是后處理中的因素引起的

2. Si Interposer安裝（C4 Bump）故障分析

  • 利用測(cè)試回路確定和分析安裝Si Interposer的條件
  • 對(duì)測(cè)試回路的菊花鏈結(jié)構(gòu)進(jìn)行故障點(diǎn)分析，并對(duì)安裝條件進(jìn)行反饋。

3. 層壓內(nèi)存安裝（TSV、Micro-Bump）故障分析

  • 識(shí)別層壓芯片的故障層

4. 印制板接線故障分析

  • 識(shí)別層壓板中通孔和信號(hào)線的故障點(diǎn)

Small-BGA故障分析

  • 通過(guò)在電路板的通孔、布線和連接線中形成開(kāi)路故障，進(jìn)行TDR分析。
  • 即使在結(jié)構(gòu)復(fù)雜的封裝中，也能檢測(cè)來(lái)自故障點(diǎn)的反射脈沖

主要分析案例

  • 用于TSV和其他微小通孔或凸點(diǎn)之間的故障分析
  • 用于對(duì)接觸點(diǎn)故障進(jìn)行溫度依賴(lài)性分析
  • 用于分析高電阻故障，其表現(xiàn)為波形圖間的微小差異
1 板 微帶線 開(kāi)路
短路
傳輸線 開(kāi)路
短路
2 QFP 連接線 開(kāi)路
短路
3 Small-BGA 連接線 開(kāi)路
板內(nèi)通孔 開(kāi)路
板內(nèi)接線 開(kāi)路
4 FCBGA 凸點(diǎn) 開(kāi)路
雛菊花環(huán) 開(kāi)路
短路
凸點(diǎn) 高阻
靠近凸點(diǎn)（長(zhǎng)度：<1mm） 開(kāi)路